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“못 받으면 망한다” 1대 5000억 ASML 최신 장비 확보전 나선 삼성·인텔·TSMC

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  이재용(왼쪽 두번째) 삼성전자 부회장이 네덜란드 에인트호번에 있는 반도체 장비업체  ASML 를 방문, 생산과정을 살펴보고 있다. /삼성전자 제공 최첨단 반도체 공정 경쟁을 벌이고 있는 삼성전자와  SK 하이닉스, 인텔,  TSMC  등이 차세대 극자외선( EUV ) 장비를 확보하기 위해 경쟁을 펼치고 있다. 이 장비를 전 세계 독점 공급하는 반도체 장비 회사 네덜란드  ASML 은 반도체 기업들이 장비를 모두 발주했다고 밝혔다. 21 일  ASML 에 따르면 삼성전자와  SK 하이닉스는 현재 개발 단계에 있는 차세대 노광장비 ‘하이 렌즈수차( NA )  EUV’ 를 주문했다. 이 장비는 기존  EUV  장비에 비해 렌즈 해상력을 높인 제품이다. 해상력은 렌즈가 화면이나 물체를 실제 모습처럼 비칠 수 있는 능력으로,  NA 라는 수치로 표현한다. 이 수치가 높으면 해상력이 증가하고, 빛 굴절률이 낮아져 초미세회로를 웨이퍼(반도체 원판)에 새길 수 있다. 기본  EUV  장비 가격이 약 1억 6000 만유로(약  2200 억원)라면 하이  NA   EUV  장비는 3억 5000 만유로(약  4900 억원)를 호가한다.  ASML 이  2025 년 양산을 목표로 개발하고 있다. 삼성전자와  SK 하이닉스뿐 아니라 인텔,  TSMC  등 기존 미세공정에서 경쟁 중인 다른 반도체 기업들도 모두 이 장비를 주문했다는 게  ASML  설명이다. 삼성전자는  2025 년 2㎚(나노미터 ·10 억분의  1m ),  2027 년  1.4 ㎚ 미세공정 반도체 양산 계획을 밝히고 있다. 계획대로 제품 생산이 이뤄지려면 하이  NA   EUV  장비가 꼭 필요한 상황이다.  SK 하이닉스도 차세대 D램 개발을 위해 이 장비가 필수라고 밝혔다. 곽노정  SK 하이닉스 사장은 “현재 D램은  10 ㎚급  1a (4세대) 초기 단계에서 양산하고 있는데,  1d (7세대) 수준에서는 핀과 핀 사이의 공간이 너무 가까워져 트랜지스터 동작의 어려움이 예상된다”며 “기존의  EUV  노광